[13p-A23-1~11] 6.1 強誘電体薄膜

[13p-A23-7] ReRAM用BaTiO₃薄膜の強誘電性と抵抗ヒステリシス特性の関係の検討

〇杉江 敏幸¹、前島 壮¹、山下 馨¹、野田 実¹ (1.京工繊工芸)

キーワード：チタン酸バリウム、抵抗変化型メモリ、強誘電性

抵抗変化型メモリの候補材料の一つであるBaTiO₃薄膜を有機金属化合物分解法において作製し、その作製条件を最適化することによってBaTiO₃薄膜内に存在する酸素欠陥の低減と膜厚制御を行うことによって強誘電性を発現させた。これまでの研究発表では強誘電性が抵抗ヒステリシス特性に与える効果やそのメカニズムについてあまり議論されていないため、今回の研究ではそれについて研究を行った。