[13p-B13-1~12] 13.5 デバイス／集積化技術

[13p-B13-3] ゲート電流ストレスによるInGaAsトンネルFETの電気特性の変動

〇尹 尚希^1,2、張 志宇^1,2、安 大煥^1,2、竹中 充^1,2、高木 信一^1,2 (1.東京大学、2.JST CREST)

キーワード：トンネルFET、定電流ストレス、InGaAs