[13p-B13-1~12] 13.5 Semiconductor devices and related technologies

△ [13p-B13-8] Equivalent-Circuit Model of Physically-Defined Silicon Triple Quantum Dots

〇Soichiro Hiraoka^1,2, Horibe Kosuke^1,2, Kodera Tetsuo^1,2, Oda Shunri^1,2 (1.QNERC and Dept of EE, Tokyo Tech, 2.Dept of EE, Tokyo Tech)

Keywords:Silicon, Triple Quantum Dots

本研究室では既に、シリコン基板(SOI)上にエッチングにより物理的に量子ドットを形成することでシリコンTQDを作製することに成功している。今回設計した回路モデルを用いると、トンネル結合のキャパシタンスの値を変えることで、任意の3重量子ドットの電荷安定図をシミュレートできることが出来る。また、このモデルを用いて本TQDデバイスのシミュレーションを行い、各キャパシタンスの値を見積もることで、本TQDデバイスが設計通りの動作を行っていることを示した。