[13p-P5-1~64] 17 Nanocarbon Technology（Poster）

[13p-P5-20] Nano-socond Order Molecular Dynamics Simulations for Graphene Growth Mechanism on SiC Surface

〇Shunsuke Imaizumi¹, So Takamoto¹, Takahiro Yamasaki^2,4, Jun Nara^2,4, Takahisa Ohno^2,3,4, Satoshi Izumi¹ (1.Univ. of Tokyo, 2.NIMS, 3.IIS, Univ. of Tokyo, 4.MARCEED)

Keywords:graphene, molecular dynamics, SiC

Si熱脱離によるSiC表面上のグラフェン成長の初期過程を再現するシミュレーションを分子動力学法によって行った．4H-SiC(0001)テラス面に(11-2n)のファセットを露出させた系から，ファセット上のSi原子を取り除き，アニールするシミュレーションにより，C原子が鎖構造を作り重合環構造に吸収されることでグラフェン状構造が成長する様子から表面がバッファ層に覆われる様子を確認した．