[13p-P5-1~64] 17 ナノカーボン（ポスター）

[13p-P5-20] SiC表面上のSi熱脱離グラフェン成長機構に関するナノ秒オーダーの長時間分子動力学解析

〇今泉 俊介¹、高本 聡¹、山崎 隆浩^2,4、奈良 純^2,4、大野 隆央^2,3,4、泉 聡志¹ (1.東大工、2.物材機構、3.東大生研、4.MARCEED)

キーワード：グラフェン、分子動力学、SiC

Si熱脱離によるSiC表面上のグラフェン成長の初期過程を再現するシミュレーションを分子動力学法によって行った．4H-SiC(0001)テラス面に(11-2n)のファセットを露出させた系から，ファセット上のSi原子を取り除き，アニールするシミュレーションにより，C原子が鎖構造を作り重合環構造に吸収されることでグラフェン状構造が成長する様子から表面がバッファ層に覆われる様子を確認した．