[14a-B13-1~10] 13.5 デバイス／集積化技術

[14a-B13-7] SRAMセルアレーTEGを用いた電源投入直後データの測定

〇竹内 潔¹、水谷 朋子¹、篠原 尋史²、更屋 拓哉¹、小林 正治¹、平本 俊郎¹ (1.東大生研、2.早大)

キーワード：SRAM

ばらつき評価のために設計された特殊なセルアレーTEGを用いて電源投入直後のSRAM初期データ（PUF応用で用いられる）の測定を試みた。特段の工夫をしない場合、初期データはアドレス切り替え雑音と「記憶効果」の影響を受けた。そこで内部ノード電位を電源立ち上げ前に毎回初期化するようにしたところ、これらの効果を抑制した良好な測定ができるようになった。