[14a-P6-1~20] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[14a-P6-10] MOCVD n-GaNのE_v+0.86 eV正孔トラップとYLの相関

〇(M2)上田 聖悟¹、徳田 豊¹ (1.愛知工大)

キーワード：GaN、フォトルミネセンス

濃度の異なる正孔トラップH1(E_V+0.86eV)に対して、フォトルミネッセンス(PL)測定を行い、H1トラップとイエロールミネセンス(YL)の相関について検討した。H1トラップは一定温度MCTS測定により評価した。使用試料は、n⁺-GaN基板上MOCVD成長Siドープn-GaNである。H1濃度が、5.2x10¹⁵および1.5x10¹⁶cm^-3について、波長325nmのHe-Cdレーザを用い、285nmから818nmの波長範囲にてPL測定を行った。バンド端強度(BE)で規格化した場合、YLはH1トラップ濃度が高い試料で約3倍の増加がみられた。