[14a-P6-1~20] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[14a-P6-13] GaNまたはAlGaN上に形成したSiO₂膜へのGaの熱拡散

〇片岡 恵太¹、兼近 将一¹、青木 裕子¹、上田 博之¹、成田 哲生¹、木本 康司¹、上殿 明良² (1.豊田中研、2.筑波大数理)

キーワード：SiO2/GaN、SiO2/AlGaN、Ga拡散

GaNまたはAlGaNエピ膜上に堆積させたSIO₂へのGaの熱拡散について、SIMSと陽電子消滅法により調査した。800℃の熱処理より、SiO₂膜全体にわたって10¹⁸ cm^-3程度の濃度でGaが拡散することがわかった。またGaの供給源はバルク中ではなく、SiO₂/GaNまたはSiO₂/AlGaN界面に存在する酸化状態が関与していることが示唆された。