[14a-P6-1~20] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[14a-P6-4] 金属有機化合物分解法によるGaN表面へのNiO粒子の形成(2)

〇喜田 弘文¹、伊藤 圭亮¹、熊崎 祐介¹、佐藤 威友¹、渡久地 政周¹ (1.北大量集セ)

キーワード：光触媒、窒化ガリウム、酸化ニッケル

窒化ガリウム(GaN)は、光触媒材料として魅力的な特徴を有するが、陽極として用いる場合、電極自体が腐食する問題が報告されている。これを回避する有望な手法の１つとして、酸化ニッケル(NiO)助触媒をGaN表面に担持する取り組みがなされている。本研究では、金属有機化合物分解法(MOD法)を用いたGaN表面へのNiO微粒子の形成と光触媒特性の評価を行った。