[14a-P6-1~20] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[14a-P6-8] Ni/N極性p-GaNショットキー電極界面の電流-電圧特性の温度依存性

〇青木 俊周¹、谷川 智之²、松岡 隆志²、塩島 謙次¹ (1.福井大院工、2.東北大金研)

キーワード：p-GaN、N極性、I-V-T

Ni/N極性p-GaNショットキー電極の電流－電圧特性の温度依存性について評価した。温度上昇とともに、障壁高さは増加し、n値は減少した。熱電界放出モデルによるトンネリング・エネルギーは理論値に対して実験値が非常に大きいため電極面内における障壁高さの不均一が原因であることが示唆された。220 K以下の低温域では、n値が熱電界放出理論から大きく外れてしまったことから、アクセプタ濃度に対して残留ドナー濃度が上回り、n反転している可能性がある。