[14a-P6-1~20] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[14a-P6-9] GaN自立基板上低転位InAlN HEMT構造の成長とゲートリーク特性の評価

〇小谷 淳二¹、山田 敦史¹、石黒 哲郎¹、中村 哲一¹ (1.富士通研)

キーワード：窒化物半導体、自立基板、InAlN HEMT