[14p-A21-1~13] 窒化物半導体の最前線　－欠陥のない結晶・デバイスを目指して－

[14p-A21-6] タイリング法による直径7インチGaN自立結晶の作製

〇吉田 丈洋¹、今西 正幸²、北村 寿朗¹、大高 健治¹、柴田 真佐知¹、今出 完²、森 勇介² (1.サイオクス、2.阪大院工)

キーワード：GaN基板