[14p-A31-1~16] 6.3 Oxide electronics

△ [14p-A31-2] High rate deposition of n-type and p-type SnOx films deposited by reactive sputtering with impedance control systems

〇Takumi Sugane¹, Junjun Jia¹, Shinichi Nakamura¹, Gloess Daniel², Yuzo Shigesato¹ (1.Aoyama-Gakuin Univ., 2.FEP)

Keywords:semiconductor, reactive sputtering, tin oxide

本研究では、インピーダンス制御法とユニポーラーパルス電源(50KHz)を併用した反応性dcマグネトロンスパッタ法(RM400, FEP)により高速かつ酸素組成比が精密に制御されたn型SnO₂薄膜ならびにp型SnO薄膜を作製し、物性解析を行った。また、反応性スパッタプロセスで生じる遷移領域を制御するため高速のPID制御器を用いたインピーダンス制御法を採用し、高性能なp型SnO成膜に成功した。