[14p-A31-1~16] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [14p-A31-2] インピーダンス制御を用いた反応性スパッタ法によるn型及びp型SnOxの高速成膜

〇数金 拓巳¹、賈 軍軍¹、中村 新一¹、ダニエル グロス²、重里 有三¹ (1.青学大理工、2.フラウンホーファ研究所)

キーワード：半導体、反応性スパッタ、酸化スズ

本研究では、インピーダンス制御法とユニポーラーパルス電源(50KHz)を併用した反応性dcマグネトロンスパッタ法(RM400, FEP)により高速かつ酸素組成比が精密に制御されたn型SnO₂薄膜ならびにp型SnO薄膜を作製し、物性解析を行った。また、反応性スパッタプロセスで生じる遷移領域を制御するため高速のPID制御器を用いたインピーダンス制御法を採用し、高性能なp型SnO成膜に成功した。