[14p-A31-1~16] 6.3 Oxide electronics

△ [14p-A31-4] Tailoring the crystal structure of TiO₂ films deposited by reactive sputtering (1);
Selective rutile growth by controlling the sputtering parameters or Sn-doping

〇(M1)Haruka Yamamoto¹, Junjun Jia¹, Haruka Kotake¹, Shin-ichi Nakamura¹, Toshihiro Okajima², Masaaki Imura³, Toshimasa Kanai³, Yozo Shigesato¹ (1.Aoyama Gakuin Univ., 2.Kyushu Synchrotron Light Research Center, 3.Nippon Electric Glass Co., Ltd)

Keywords:TiO2, Crystal growth

酸化チタン(TiO₂)は、結晶構造によって異なる性質をもち、用途に合わせて結晶構造を作り分けることが必要となる。本研究では、反応性スパッタ法において成膜パラメータの調整と、不純物(Sn)ドーピングの2つの方法を用いてTiO₂薄膜のルチル相の選択成長を行った。作製したTiO₂薄膜の結晶構造をX線回折法(XRD)、透過型電子顕微鏡(TEM)、X線吸収微細構造解析(XAFS)等で解析し、その結晶成長メカニズムを検討した。