[14p-A31-1~16] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [14p-A31-4] 反応性スパッタ法によるTiO₂薄膜の結晶構造制御 (1);
成膜パラメータによる、あるいはSnドープによるルチルの選択成長

〇(M1)山本 晴香¹、賈 軍軍¹、古武 悠¹、中村 新一¹、岡島 敏浩²、伊村 正明³、金井 敏正³、重里 有三¹ (1.青学大理工、2.九州シンクロトロン光研究センター、3.日本電気硝子株式会社)

キーワード：酸化チタン、結晶成長

酸化チタン(TiO₂)は、結晶構造によって異なる性質をもち、用途に合わせて結晶構造を作り分けることが必要となる。本研究では、反応性スパッタ法において成膜パラメータの調整と、不純物(Sn)ドーピングの2つの方法を用いてTiO₂薄膜のルチル相の選択成長を行った。作製したTiO₂薄膜の結晶構造をX線回折法(XRD)、透過型電子顕微鏡(TEM)、X線吸収微細構造解析(XAFS)等で解析し、その結晶成長メカニズムを検討した。