[14p-A31-1~16] 6.3 Oxide electronics

△ [14p-A31-7] Reversible resistive switching by the control of oxygen vacancy distribution in rutile TiO₂ single crystals

〇(M1)Takuma Shimizu¹, Shotaro Takeuchi¹, Akira Sakai¹ (1.Grad. Sch, Osaka Univ.)

Keywords:Titanium oxide, resistive switching, memristor

抵抗変化（RS）現象を示すTiO₂は、メモリスタ素子材料として期待されている。メモリスタ素子の高機能化に向けて、ドーパント（酸素空孔）の電界による精密制御が必要である。我々は、熱還元処理したルチル型TiO₂単結晶基板上に酸素空孔分布を制御する端子を持つ4端子平面型素子を作製し、電気着色現象によって視覚的に捉えられる酸素空孔分布と電極間で生じた可逆的なRS特性との関連性、および結晶方位依存性の評価を行った。