[14p-A31-1~16] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [14p-A31-7] ルチル型 TiO₂単結晶の酸素空孔分布制御による可逆的抵抗変化特性

〇(M1)清水 拓磨¹、竹内 正太郎¹、酒井 朗¹ (1.阪大院基礎工)

キーワード：酸化チタン、抵抗変化、メモリスタ

抵抗変化（RS）現象を示すTiO₂は、メモリスタ素子材料として期待されている。メモリスタ素子の高機能化に向けて、ドーパント（酸素空孔）の電界による精密制御が必要である。我々は、熱還元処理したルチル型TiO₂単結晶基板上に酸素空孔分布を制御する端子を持つ4端子平面型素子を作製し、電気着色現象によって視覚的に捉えられる酸素空孔分布と電極間で生じた可逆的なRS特性との関連性、および結晶方位依存性の評価を行った。