[14p-B1-1~6] AI/ディープラーニング時代に向けたIoT/IoEデバイス技術

[14p-B1-6] Accumulation-Mode積層型ナノワイヤCMOSデバイスのチャネル不純物濃度およびゲート電極仕事関数の依存性

〇安重 英祐¹、大橋 匠¹、宗田 伊理也¹、角嶋 邦之¹、筒井 一生¹、若林 整¹ (1.東工大)

キーワード：ナノワイヤトランジスタ

Accumulation-Mode積層型ナノワイヤCMOSデバイスのチャネル不純物濃度およびゲート電極仕事関数の依存性