[14p-P10-1~25] 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」（ポスター）

[14p-P10-10] ミストCVD法によるa面、m面sapphire基板上へのα-Ga₂O₃薄膜の作製

〇赤岩 和明¹、太田 勝也¹、関山 尊仁¹、阿部 友紀¹、市野 邦男¹ (1.鳥取大学)

キーワード：酸化物半導体、酸化ガリウム、結晶成長