[14p-P10-1~25] 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」（ポスター）

[14p-P10-23] 室温原子層堆積法によるTiO₂チャネル薄膜トランジスタの開発

〇菊地 航¹、鹿又 健作¹、三浦 正範¹、有馬 ボシルアハマド¹、久保田 繁¹、廣瀬 文彦¹ (1.山形大院理工)

キーワード：酸化チタン、薄膜トランジスタ

ｎ型の半導体酸化物として酸化チタン(TiO₂)が注目されている。我々は将来フレキシブル回路への応用を念頭に置き、室温原子層堆積法を用いて作製したTiO₂を用い薄膜トランジスタ(TFT)の開発を行った。今回はSi基板上でTFTを試作しショートアニールを用いて結晶化させている。結果、良好な出力特性が得られた。また光応答性を確認し、光センサとしての 可能性を見出した。