[14p-P5-1~13] 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /MEMS/Integration technology

[14p-P5-11] Study on diffusion path and energy barrier of metal atoms near dopant atom in Si by first-principles calculatio

〇(M2)atsuhiro yamada¹, koji sueoka¹ (1.Okayama Pref Univ.)

Keywords:semiconductor, Gettering, The first -principles calculations

本研究では，LSIで用いられる5種類の金属について，ゲッタリングサイトとの結合エネルギーと拡散障壁を第一原理計算により評価することで，ゲッタリングのメカニズムの解明を目的とした．主要な結果は以下の通りである．
(1) 64原子モデル中に4つの拡散経路が存在し，それぞれの拡散障壁は互いに異なっている．
(2)ドーパントの周囲には複数のトラップサイトが存在する場合がある．たとえばFeは必ずしもBの第一近接ではなく，それ以外のサイトにもある程度の存在確率を持つ