[14p-P5-1~13] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[14p-P5-7] Al誘起横方向成長をSDに利用したガラス基板上の平面型自己整合メタルダブルゲート低温poly-Ge TFT

〇原 明人¹、西村 勇哉¹、大澤 弘樹¹ (1.東北学院大工)

キーワード：薄膜トランジスタ、ゲルマニウム、多結晶ゲルマニウム

我々が開発してきた平面型自己整合メタルダブルゲート(DG)ジャンクションレス(JL) p-ch 低温(LT) poly-Ge TFTに対して、SD領域の最適化を試み、on/off比において10³、移動度20 cm²/Vs を実現した。