[14p-P9-1~18] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[14p-P9-17] Ongoing Degradation Analysis for Power Semiconductor Die Attachment subjected to Thermal Cycle Test

〇Mari Yamshita¹, Tatsuhiro Suzuki¹, Sawa Araki¹, Tetsuya Mori¹, Takashi Ogihara², Hidekazu Tanaka², Hisashi Yakumaru³, Satoshi Tanimoto¹ (1.NISSAN ARC, 2.Tektronix/Keithley Japan, 3.Hitachi Power Solutions)

Keywords:SiC, Die attach, Thermal cycle test

大きな温度サイクルに晒されるSiCやGaN等の次世代パワー半導体ではサイクルの進行とともにダイアタッチ内部には空隙が生じて、放熱抵抗や電気抵抗が徐々に高まり、最終局面では半導体は熱暴走や断線に陥る。本研究の目的はダイアタッチ材の、放熱性と空隙の関係、冷熱サイクル数と放熱性の関係、シェア強度と放熱性と空隙の関係、空隙と電圧V_Fの関係、等を究明すること、第二に、これを達成するための複合評価試験法を提案することである。