[14p-P9-1~18] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[14p-P9-17] 次世代パワー半導体ダイアタッチの複合オンゴーイング劣化解析

〇山下 真理¹、鈴木 達広¹、荒木 祥和¹、森 哲也¹、荻原 尚志²、田中 秀和²、薬丸 尚志³、谷本 智¹ (1.日産アーク、2.ケースレーインスツルメンツ、3.日立パワーソリューションズ)

キーワード：SiC、ダイアタッチ、冷熱サイクル

大きな温度サイクルに晒されるSiCやGaN等の次世代パワー半導体ではサイクルの進行とともにダイアタッチ内部には空隙が生じて、放熱抵抗や電気抵抗が徐々に高まり、最終局面では半導体は熱暴走や断線に陥る。本研究の目的はダイアタッチ材の、放熱性と空隙の関係、冷熱サイクル数と放熱性の関係、シェア強度と放熱性と空隙の関係、空隙と電圧V_Fの関係、等を究明すること、第二に、これを達成するための複合評価試験法を提案することである。