[14p-P9-1~18] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[14p-P9-18] 破壊観察によるSiC-MOSFET(TO-247)の冷熱サイクル劣化解析

〇荒木 祥和¹、鈴木 達広¹、山下 真理¹、大野 俊明²、薬丸 尚志³、澤田 浩紀⁴、谷本 智¹ (1.日産ｱｰｸ、2.ﾉｰﾄﾞｿﾝ･ｱﾄﾞﾊﾞﾝｽﾄ･ﾃｸﾉﾛｼﾞｰ、3.日立ﾊﾟﾜｰｿﾘｭｰｼｮﾝｽﾞ、4.岩通計測)

キーワード：SiC-MOSFET、TO-247、劣化解析

SiCやGaNなど次世代パワーデバイスには高T_jで動作することが求められているが、市販デバイスの保証温度は未だSiデバイス並み（T_j～175℃）である。筆者らは、最近、冷熱サイクル試験(TCT)を進めながら、TO-247パッケージSiC-MOSFETが劣化していく過程をSATやX-CT、電気計測等の非破壊評価手段を用いて観察した[1]。本発表では、前記TCTで劣化したサンプルを破壊評価法で解析した結果を報告する。非破壊評価との対応関係や、非破壊評価だけでは調査しきれない劣化の実相が解明される。