The 77th JSAP Autumn Meeting, 2016

Presentation information

Oral presentation

Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices" » Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[15a-A22-1~11] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

Thu. Sep 15, 2016 9:00 AM - 12:00 PM A22 (Main Hall B)

Tomoki Abe(Tottori Univ.)

9:15 AM - 9:30 AM

[15a-A22-2] Effects of irradiation of electronegative oxygen ions on the adsorbents on the surface of polycrystalline transparent conductive Ga-doped ZnO films

Junichi Nomoto1, Hisao Makino1,2, Hisashi Kitami1,3, Toshiyuki Sakemi3, Masaaki Kobata4, Tetsuo Okane5, Shinichi Fujimori5, Hiroshi Yamagami5,6, Keisuke Kobayashi1,5, Tetsuya Yamamoto1 (1.Research Inst., Kochi Univ. Tech., 2.Kochi Univ. Tech., 3.Sumitomo Heavy Industries, Ltd., 4.JAEA, CLADS, Radionuclide Behavior Analysis Gr., 5.JAEA, Mater. Sci. Res. Center, Electron. Struct. Res. Gr., 6.Kyoto Sangyo Univ.)

Keywords:Transparent Conductive Oxide, Zinc oxide

本研究では、反応性プラズマ蒸着法 (RPD) により成膜された多結晶 Ga 添加 ZnO (GZO) 膜における表面付近での点欠陥や吸着子の制御を目的とする。その解決策として、アフターアークプラズマ環境下で生成する酸素負イオン (O-) を用いるイオン照射装置を開発した。本発表では、その効果をX線光電子分光 (XPS) 法を用いて考察したその検討結果を報告する。