[15a-A22-1~11] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[15a-A22-6] Development of Low Resistivity ITO Film Deposited at Low Temperature Sputtering

〇Yukiaki Oono¹, Masanori Shirai¹, Motoshi Kobayashi¹, Hirohisa Takahashi¹, Satoru Ishibashi¹ (1.ULVAC, Inc.)

Keywords:Low Temperature Sputter, ITO, Low Resistivity

近年スマートフォンなどに使用されるタッチセンサーでは静電容量方式が主流で、ディスプレイにタッチ機能を搭載するOn-CellやIn-Cellと呼ばれるデバイス構造が採用されている。これらはカラーフィルタとTFTを貼り合せるために接着剤が使用されており、センサー形成時の成膜温度に制約があり、低温プロセスで良質膜を得ることがキーとなる。著者らは成膜時の基板温度を室温以下とすることでITO膜の電気特性を改善することに成功した。