[15a-A31-1~13] 6.3 Oxide electronics

[15a-A31-6] Preparation of thin films of transparent p-type semiconductor NiO_x by electrochemical deposition

〇BAYINGAERDI TONG¹, MASAYA ICHIMURA¹ (1.NIT.)

Keywords:semiconductor thin film, electrochemical deposition, transparent thin film

金属酸化物など透明な伝導性材料はn型の伝導性をとる物質がほとんどであるが、不定比NiO_xは約3.6 eVのワイドバンドギャップをもつ貴重なp型半導体材料である。pnヘテロ接合のp型層材料として、紫外線太陽電池や紫外線センサーやLEDなどの透明光電子デバイス応用に魅力的であると考えられる。
本研究では、電気化学堆積法によって、低温でNi-O-OHを堆積し、熱分解によりNiO_xの作製を試みた。得られた薄膜に光学的電気的物性評価を行った。