[15a-B1-1~13] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [15a-B1-11] 自立GaN基板上p-n接合ダイオードにおける順方向電流集中領域の検討Ⅱ

〇林 賢太郎¹、太田 博¹、堀切 文正²、成田 好伸²、吉田 丈洋²、中村 徹¹、三島 友義¹ (1.法政大、2.サイオクス)

キーワード：窒化ガリウム、p-n接合ダイオード、表面モフォロジー

自立GaN基板上GaN p-nダイオードの順方向バイアスにおける電流のアノード電極径依存から電極端に電流が集中するモデルを前回提唱した。今回は裏面のカソード電極にITO透明電極を用いてp-n接合での発光を顕微ELマッピングにより観察して、その発光強度分布からこのモデルの妥当性を確認した。また、エピ表面に顕著な波模様のモフォロジーがある場合はそれに対応したEL分布が観測された。