2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[15a-B1-1~13] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

2016年9月15日(木) 09:00 〜 12:30 B1 (展示ホール内)

塩島 謙次(福井大)

12:00 〜 12:15

[15a-B1-12] 自立GaN基板上p-n接合ダイオードの信頼性試験

堀切 文正1、太田 博2、成田 好伸1、吉田 丈洋1、北村 寿朗1、中村 徹2、三島 友義2 (1.サイオクス、2.法政大)

キーワード:GaN、diode、信頼性

自立GaN基板上にMOVPE法によりp-n接合ダイオード成長し、素子サイズの異なるダイオードに対して電流負荷試験を行う事で、デバイスの信頼性を調査した。電流負荷試験は、電流コンプライアンスを徐々に変化させることで行った。電流負荷試験の結果、10-7[A]の電流コンプライアンスでは劣化は起こらなかった。一方、10-6[A]以上の電流コンプライアンスでは、電流コンプライアンスに達する逆方向電圧が徐々に低下した。