The 77th JSAP Autumn Meeting, 2016

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Oral presentation

13 Semiconductors » 13.8 Compound and power electron devices and process technology

[15a-B1-1~13] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

Thu. Sep 15, 2016 9:00 AM - 12:30 PM B1 (Exhibition Hall)

Kenji Shiojima(Univ. of Fukui)

12:15 PM - 12:30 PM

[15a-B1-13] Electrical Properties of Al-Foil/Wide-Gap-Semiconductor Junctions Fabricated by Surface-Activated Bonding

Sho Morita1, Takuya Nishimura1, Jianbo Liang1, Moeko Matsubara2, Marwan Dhamrin2, Yoshitaka Nishio2, Naoteru shigekawa1 (1.Osaka City Univ., 2.Toyo Aluminium K.K.)

Keywords:wide-gap-semiconductor, Al-foil, surface-activated bondig

ワイドギャップ半導体上に厚膜金属電極を形成できれば、パワーデバイス配線中の電力消費の大幅な低減が期待される。我々は既に、表面活性化接合法(SAB法)による厚膜電極実現の可能性を示唆する結果を得ている。本研究ではワイドギャップ半導体のn-4H-SiCエピ基板、n-GaN基板にAl箔をSAB法で接合し、その電気特性の評価を行った。