[15a-B1-1~13] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[15a-B1-13] 表面活性化接合法によるAl箔/ワイドギャップ半導体接合の電気特性

〇森田 匠¹、西村 拓也¹、梁 剣波¹、松原 萌子²、ダムリン マルワン²、西尾 佳高²、重川 直輝¹ (1.大阪市立大学、2.東洋アルミ二ウム)

キーワード：ワイドギャップ半導体、アルミニウム箔、表面活性化接合法

ワイドギャップ半導体上に厚膜金属電極を形成できれば、パワーデバイス配線中の電力消費の大幅な低減が期待される。我々は既に、表面活性化接合法（SAB法）による厚膜電極実現の可能性を示唆する結果を得ている。本研究ではワイドギャップ半導体のn-4H-SiCエピ基板、n-GaN基板にAl箔をSAB法で接合し、その電気特性の評価を行った。