2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[15a-B1-1~13] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

2016年9月15日(木) 09:00 〜 12:30 B1 (展示ホール内)

塩島 謙次(福井大)

12:15 〜 12:30

[15a-B1-13] 表面活性化接合法によるAl箔/ワイドギャップ半導体接合の電気特性

森田 匠1、西村 拓也1、梁 剣波1、松原 萌子2、ダムリン マルワン2、西尾 佳高2、重川 直輝1 (1.大阪市立大学、2.東洋アルミ二ウム)

キーワード:ワイドギャップ半導体、アルミニウム箔、表面活性化接合法

ワイドギャップ半導体上に厚膜金属電極を形成できれば、パワーデバイス配線中の電力消費の大幅な低減が期待される。我々は既に、表面活性化接合法(SAB法)による厚膜電極実現の可能性を示唆する結果を得ている。本研究ではワイドギャップ半導体のn-4H-SiCエピ基板、n-GaN基板にAl箔をSAB法で接合し、その電気特性の評価を行った。