[15a-B1-1~13] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

△ [15a-B1-6] Effect of the CR product for diamond Schottky barrier diodes in rectenna

〇Naoto Kawano¹, Satoshi Takayoshi¹, Takayoshi Oshima¹, Toshiyuki Oishi¹ (1.Saga Univ.)

Keywords:diamond, rectenna, schottky barrier diode

ダイヤモンドレクテナ回路のRF-DC変換効率向上を目的として容量抵抗積(CR)をひとつの指標とし，ショットキー面積Sとの依存性を検討したところ，作製したダイヤモンドショットキーバリアダイオードのCRの実測値からSに対して増加する傾向を得ることができた．また，等価回路モデルを考え，CRとSの関係を定式化し，CR値を実験的に求めた．