2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[15a-B1-1~13] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

2016年9月15日(木) 09:00 〜 12:30 B1 (展示ホール内)

塩島 謙次(福井大)

10:15 〜 10:30

[15a-B1-6] レクテナにおけるダイヤモンドショットキーバリアダイオードの抵抗容量積の影響

河野 直士1、桝谷 聡士1、大島 孝仁1、大石 敏之1 (1.佐賀大院工)

キーワード:ダイヤモンド、レクテナ、ショットキーバリアダイオード

ダイヤモンドレクテナ回路のRF-DC変換効率向上を目的として容量抵抗積(CR)をひとつの指標とし,ショットキー面積Sとの依存性を検討したところ,作製したダイヤモンドショットキーバリアダイオードのCRの実測値からSに対して増加する傾向を得ることができた.また,等価回路モデルを考え,CRとSの関係を定式化し,CR値を実験的に求めた.