[15a-B10-1~13] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[15a-B10-1] 低温TFTに向けた大気圧プラズマCVDによるSi成膜プロセスの研究

〇田牧 祥吾¹、寺脇 功士¹、木元 雄一朗¹、鎌田 航平¹、大参 宏昌¹、垣内 弘章¹、安武 潔¹ (1.阪大院工)

キーワード：プラズマCVD、大気圧、シリコン