The 77th JSAP Autumn Meeting, 2016

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Oral presentation

13 Semiconductors » 13.1 Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials

[15a-B2-1~8] 13.1 Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials

Thu. Sep 15, 2016 10:00 AM - 12:15 PM B2 (Exhibition Hall)

Kenta Arima(Osaka Univ.)

11:15 AM - 11:30 AM

[15a-B2-5] Formation of the sulfur-terminated Ge(111) surface using HF aq. solution with H2SO3

Yusuke Fujishima1, Hitoshi Suzuki1, Hiroyuki Sakaue1 (1.Hiroshima Univ.)

Keywords:Germanium, Sulfur, XPS

我々は、亜硫酸ナトリウムを添加したフッ酸で処理したGe表面は硫黄終端され、水素終端表面よりも酸化されにくいことを報告した。しかし、処理過程でナトリウムを含むため、ナトリウム汚染の懸念がある。本研究では、ナトリウムを含まない、亜硫酸を添加したフッ酸で処理し、Ge表面の構造を評価した。その結果として、亜硫酸ナトリウム添加のフッ酸で処理した表面と同様の構造が得られることが分かった。