[15a-B2-1~8] 13.1 Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials

[15a-B2-4] Behavior analysis of Si etching process with the HF/HNO3 mixture by single spin wafer processor

〇Takashi Oinoue¹, Suguru Saito², Atsushi Okuyama², Yoshiya Hagimoto², Hayato Iwamoto² (1.Sony Semiconductor Manufacturing, 2.Sony Semiconductor Solutions)

Keywords:single, HF/HNO3, Si etch

Si基板バックグラインド後のストレス層およびダメージ層除去には、フッ硝酸によるSiエッチングプロセスが一般的に用いられる。これまでに、静置浸漬方式においては薬液組成がエッチレートに大きく影響することが報告されているが、枚葉スピン方式でのエッチング挙動は詳細に報告されていない。そこで今回、枚葉スピン方式のSiエッチングプロセスにおいて、薬液組成とエッチング挙動の関係を詳細に調査し、現象に対するメカニズム考察を行ったので報告する。