[15a-B9-1~6] 13.3 Insulator technology

△ [15a-B9-1] Role of high-k interlayer on characteristics for DRAM capacitors with ZrO₂/high-k/ZrO₂ insulating multilayer

〇(M1)Takashi Onaya^1,2, Toshihide Nabatame^2,3, Tomomi Sawada^2,3, Kazunori Kurishima^1,2, Naomi Sawamoto¹, Akihiko Ohi², Toyohiro Chikyo², Atsushi Ogura¹ (1.Meiji Univ., 2.NIMS WPI-MANA, 3.JST-CREST)

Keywords:ZrO2/high-k/ZrO2 insulating multilayer, Atomic layer deposition (ALD), DRAM

現在、キャパシタ絶縁膜としてZrO₂/high-k/ZrO₂ (Z/high-k/Z)多層構造が精力的に研究されている。しかし、high-k層間絶縁層は、リーク電流を抑える観点から、アモルファス構造またはバンドギャップの幅のどちらが重要であるのかが明らかになっていない。
本研究では、high-k層間絶縁層としてそれぞれバンドギャップが異なるAl₂O₃、(Ta/Nb)O_x及び(Ta/Nb)O_x-Al₂O₃を用いたZ/high-k/Zキャパシタ絶縁膜のk値及びリーク電流特性について検討した結果を報告する。