[15a-B9-1~6] 13.3 絶縁膜技術

△ [15a-B9-1] ZrO₂/high-k/ZrO₂多層絶縁膜を用いたDRAMキャパシタにおけるhigh-k層間絶縁層の役割

〇(M1)女屋 崇^1,2、生田目 俊秀^2,3、澤田 朋実^2,3、栗島 一徳^1,2、澤本 直美¹、大井 暁彦²、知京 豊裕²、小椋 厚志¹ (1.明治大学、2.物材機構 WPI-MANA、3.JST-CREST)

キーワード：ZrO2/high-k/ZrO2多層絶縁膜、原子層堆積(ALD)法、DRAM

現在、キャパシタ絶縁膜としてZrO₂/high-k/ZrO₂ (Z/high-k/Z)多層構造が精力的に研究されている。しかし、high-k層間絶縁層は、リーク電流を抑える観点から、アモルファス構造またはバンドギャップの幅のどちらが重要であるのかが明らかになっていない。
本研究では、high-k層間絶縁層としてそれぞれバンドギャップが異なるAl₂O₃、(Ta/Nb)O_x及び(Ta/Nb)O_x-Al₂O₃を用いたZ/high-k/Zキャパシタ絶縁膜のk値及びリーク電流特性について検討した結果を報告する。