[15a-B9-1~6] 13.3 Insulator technology

△ [15a-B9-2] Electric characteristics of ALD Al₂O₃ films formed using different oxidants

〇Satoshi Okubo¹, Daisuke Matsumura¹, Atsushi Hiraiwa¹, Hiroshi Kawarada¹ (1.Waseda University)

Keywords:Al2O3, atomic layer deposition, electric conduction

原子層堆積Al₂O₃膜はワイドバンドギャップ半導体素子のゲート絶縁膜に有望である。その絶縁性向上に向け酸化剤の差（H₂OとO₃）が絶縁性にもたらす影響について検討した。O3で形成した膜が正負両バイアス電圧に対してリーク電流が少なく、これがゲート電極材料に対する安定性と基板側界面付近における正電荷の減少効果によるものであることを明らかにした。ただし、O₃は基板を酸化する作用が強いので必要に応じ改善を図っていく。