講演情報

Tweet

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.3 絶縁膜技術

[15a-B9-1~6] 13.3 絶縁膜技術

2016年9月15日(木) 10:15 〜 11:45 B9 (展示ホール内)

井上真雄(ルネサス)

11:00 〜 11:15

[15a-B9-4] HfO₂/SiO₂/Si(100)構造における内部電位分布、界面ダイポールの定量評価

〇藤村信幸¹、大田晃生¹、池田弥央¹、牧原克典¹、宮崎誠一¹ (1.名大院工)

キーワード：X線光電子分光法、内部電位変化、界面ダイポール