[15a-C302-1~12] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[15a-C302-11] 三フッ化塩素ガスによる炭化珪素表面における炭素膜の形成と除去

廣岡 亜純¹、〇羽深 等¹、高橋 至直²、加藤 智久³ (1.横国大院工、2.関東電化工業、3.産総研)

キーワード：炭化珪素、三フッ化塩素ガス、炭素膜

炭化珪素を高速で削るために三フッ化塩素（ClF₃）ガスによるエッチング方法が提案されている。毎分１０μｍ以上の速度でエッチングする際に、表面に炭素が残留する現象が把握されているため、その形成挙動と除去方法を調査したので、詳細を報告する。