Magnetic Tunnel Junction with Amorphous NiFeSiB Electrode for Highly Sensitive Magnetic Field Sensor

講演情報

一般セッション(口頭講演)

10 スピントロニクス・マグネティクス » 10.3 GMR・TMR・磁気記録技術

2016年9月15日(木) 09:00 〜 10:30 C41 (日航4階朱雀A)

09:00 〜 09:15

〇Daiki Kato¹、Mikihiko Oogane¹、Kosuke Fujiwara¹、Junichi Jono²、Hiroshi Naganuma¹、Masaaki Tsuchida²、Yasuo Ando¹ (1.Tohoku Univ.、2.Konicaminolta)

キーワード：Magneti Tunnel Junction, Magnetic Field Sensor, Bio-magnetic Field