The 77th JSAP Autumn Meeting, 2016

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Oral presentation

Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices" » Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[15p-A22-1~17] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

Thu. Sep 15, 2016 1:30 PM - 6:00 PM A22 (Main Hall B)

Yasuaki Ishikawa(NAIST), Mamoru Furuta(Kochi Univ. of Tech.)

4:45 PM - 5:00 PM

[15p-A22-13] Crystal orientation dependence of gas sensing properties of ZnO films

Yutaka Adachi1, Isao Sakaguchi1, Taku Suzuki1, Noriko Saito1 (1.NIMS)

Keywords:semiconductor gas sensor

本研究では、ZnO各結晶面のセンサ特性に関する知見を得るために、ZnOのc(+)面、c(-)面、a面、m面が最表面になったエピタキシャル薄膜を作製し、そのガスセンサ特性の評価を試みた。その結果、c(-)面が最もエタノールガスに対して高感度であることがわかった。