[15p-A22-1~17] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

△ [15p-A22-12] Influence of ZrO₂ insulator/In-Si-O channel interface on transistor characteristic for oxide TFT

〇(D)Kazunori Kurishima^1,2, Toshihide Nabatame², Takio Kizu², Kazuhito Tsukagoshi², Takashi Onaya^1,2, Akihiko Ohi², Toyohiro Chikyow², Atsushi Ogura¹ (1.Meiji Univ., 2.NIMS WPI-MANA)

Keywords:Thin film transistor, High-k gate insulator, InOx-based metal oxide

我々は、In-Si-Oチャネルを用いたTFTのSSが0.13 V/decと小さく、有望なチャネル材料であることを報告した。また、種々のHigh-k材料がゲート絶縁膜として研究されているが、でもDRAMのキャパシタ絶縁膜の候補材料であるk = 25の高誘電率を有するZrO₂が有望視されている。そこで、ZrO₂ゲート絶縁膜とIn-Si-Oチャネルを組み合わせたTFTは低電圧動作が期待できる。
本研究では、ZrO₂ゲート絶縁膜に用いたIn-Si-O TFTのトランジスタ特性を作製して、ZrO₂膜及びZrO₂/In-Si-O界面の固定電荷がトランジスタ特性に及ぼす影響について議論した結果を報告する。