[15p-A23-1~20] 15.8 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[15p-A23-6] 炭素クラスターイオン注入Siエピウェーハの特徴(2)
ー 常温接合界面における酸素の捕獲能力(2) ―

〇古賀 祥泰¹、栗田 一成¹ (1.株式会社 SUMCO)

キーワード：エピタキシャルシリコンウェーハ、常温接合貼り合わせ、酸素拡散

我々は,高感度CMOSイメージセンサの製品性能向上を意図して,炭素クラスターイオン注入による近接ゲッタリングウェーハを検討してきた.
本デバイスにおいて，シリコン基板上へエピタキシャル層を形成する際に，酸素がシリコン基板からエピタキシャル層へ拡散し，
酸素起因の欠陥がエピタキシャル層内に残存して，デバイス特性に影響を与える可能性がある．
今回，デバイス形成領域となるエピタキシャル層への酸素拡散を抑制する手段として，
高ドーズ量条件で炭素クラスターイオン注入した低酸素CZ基板へ，エピタキシャル層を常温下にて直接接合することが有効であることを報告する.