[15p-A23-1~20] 15.8 結晶評価，不純物・結晶欠陥

△ [15p-A23-7] 炭素クラスターイオン注入Siエピウェーハの特徴(3) -多元素・分子イオン注入技術の開発検討 (2)-

〇廣瀬 諒¹、奥山 亮輔¹、門野 武¹、柾田 亜由美¹、古賀 祥泰¹、奥田 秀彦¹、栗田 一成¹、宮本 直樹² (1.株式会社ＳＵＭＣＯ、2.日新イオン機器株式会社)

キーワード：炭素クラスターイオン注入、分子イオン注入、ゲッタリング技術

我々はＣＭＯＳイメージセンサーの特性改善を目的として、炭素クラスターイオン注入Ｓｉエピタキシャルウェーハの開発を推進してきた。更なる特性改善のために多元素・分子イオン注入技術の開発を行い、イオン注入が実現できたことを第６３回応用物理学会春季学術講演会にて報告した。今回は多元素・分子イオン注入をしたサンプルに対してエピタキシャル成長を行った後の注入領域を詳細観察した結果を報告する。