[15p-A34-1~19] 13.10 Compound solar cells

△ [15p-A34-14] HAXPES measurements of GaAs thin film/Si junctions-band offset analysis

〇Sanji Yun¹, Tomoki Ogawa¹, Syoji Yamajo¹, Jianbo Liang¹, Hassanet Sodabanlu², Kentaro Watanabe², Masakazu Sugiyama², Akira Yasui³, Eiji Ikenaga³, Naoteru Shigekawa¹ (1.Osaka City Univ., 2.Univ. of Tokyo, 3.JASRI)

Keywords:HAXPES measurements, Surface-Activated Bonding

我々は高効率・低コスト太陽電池の実現を目指し、異種材料の接合形成を可能とする表面活性化ボンディング法（SAB法）を用いて多接合型太陽電池の研究を行っている。SAB法では表面にArビームを照射するため界面準位が形成され、電気特性測定では接合界面のバンドプロファイルの精度の高い評価は困難と思われる。今回我々は界面準位の影響を受けずにバンドプロファイルを議論するため、GaAs薄層/Si接合の硬X線光電子分光を行った。