[15p-A34-1~19] 13.10 Compound solar cells

[15p-A34-9] Evaluation of Carrier Lifetime in the InGaAs/GaAsP Wire on Well Structure

〇(M2)Hirofumi Cho¹, Shota Saito¹, Kasidit Toprasertpong¹, Yusuke Tajiri³, Yasuhiro Ogawa³, Hassanet Sodabanlu², Kentaroh Watanabe², Takashi Kita³, Masakazu Sugiyama¹, Yoshiaki Nakano¹ (1.Tokyo Univ., 2.RCAST, 3.Kobe Univ.)

Keywords:Solar Cell, TRPL

高効率な多接合太陽電池に向けて最適なバンドギャップをもったミドルセルの開発が重要である。候補となる材料系として、InGaAs と GaAsP を交互に積層させた多重量子井戸構造(MQW: Multiple Quantum Well)が挙げられる。この系において、特定の温度で微傾斜基板上に MQW を成長すると波状の量子井戸(WoW: Wire on-Well)となることが知られているが、この構造が太陽電池特性に与える影響はよく知られていない。今回、WoWのキャリア寿命を光学的に観察することを目指し、時間分解フォトルミネッセンス(TRPL)測定を行い、その長いキャリア寿命を観測した。