[15p-A34-1~19] 13.10 化合物太陽電池

[15p-A34-9] InGaAs/GaAsP波状量子井戸におけるキャリア寿命の評価

〇(M2)趙 博文¹、齊藤 昌太¹、トープラサートポン カシディット¹、田尻 祐介³、小川 泰弘³、ソダーバンル ハッサネット²、渡辺 健太郎²、喜多 隆³、杉山 正和¹、中野 義昭¹ (1.東大院工、2.東大先端研、3.神戸大院工)

キーワード：太陽電池、時間分解フォトルミネッセンス測定

高効率な多接合太陽電池に向けて最適なバンドギャップをもったミドルセルの開発が重要である。候補となる材料系として、InGaAs と GaAsP を交互に積層させた多重量子井戸構造(MQW: Multiple Quantum Well)が挙げられる。この系において、特定の温度で微傾斜基板上に MQW を成長すると波状の量子井戸(WoW: Wire on-Well)となることが知られているが、この構造が太陽電池特性に与える影響はよく知られていない。今回、WoWのキャリア寿命を光学的に観察することを目指し、時間分解フォトルミネッセンス(TRPL)測定を行い、その長いキャリア寿命を観測した。